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onsemi FQD13N10LTM
| Artikelnummer: | FQD13N10LTM |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 100V 10A DPAK |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
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| 10+ | $0.657 |
| 100+ | $0.5041 |
| 500+ | $0.3985 |
| 1000+ | $0.3188 |
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- Verpackung
-
onsemi FQD13N10LTM Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments FQD13N10LTM.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse TO-252AA Serie QFET® Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 5A, 10V Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 40W (Tc) Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 520 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 5 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10A (Tc) Grundproduktnummer FQD13N10 FQD13N10LTM Einzelheiten PDF [English] FQD13N10LTM PDF - EN.pdf -
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